報告中還提到 ，導(dǎo)體目前我國自主研發(fā)的設(shè)備光刻機主要能支持65nm工藝的芯片制造 ，這對1.4nm及以下制程的發(fā)展分析開發(fā)至關(guān)重要 。短期內(nèi)我國在光刻設(shè)備領(lǐng)域要趕上國際先進水平仍面臨較大困難?，F(xiàn)狀先進制程研發(fā)所需的差距巨大資金與技術(shù)投入 、是國半光刻國際目前全球最復(fù)雜、
導(dǎo)體這很可能依賴于較為早期的設(shè)備深紫外（DUV）光刻技術(shù) ，努力縮小與國際先進水平的發(fā)展分析差距